IGBT的主要參數(shù)
1. 管壓降Ucesat::IGBT導通時，從C極到E極的電壓下降數(shù)值（任何電子元器件工作時都有一定的損耗，這時候可以把CE看成一個電阻，電流通過時，需要降低一定的電壓）
2. 集電極-發(fā)射極阻斷電壓Uces:柵極和發(fā)射極短路時，集電極和發(fā)射極直接的電壓。這時集電極電流很小，通常等于Ices
3. 集電極電流Ic,Ic,nom:通常稱作集電極電流，也表示最大連續(xù)集電極直流電流。
4. 開關(guān)損耗Eon:是指IGBT導通時的損耗。導通：是指在柵極施加一個高于柵壓門限值的電壓時，溝道導通，IGBT就可以工作了。
5. 開關(guān)損耗Eoff:是指IGBT關(guān)斷時的損耗。關(guān)斷：是指在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)，IGBT就關(guān)段了。
6. 重復峰值集電極電流Icrm：在實際t中（一般是1ms）最大的重復電流。很多廠商指導的Icrm的值是Ic,nom的兩倍。
