IGBT概念(Insulated Gate Bipolar Transistor)
絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和MOS管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,IGBT通俗來講就是一個頻率比較高的開關（為何IGBT有如此重大的作用，幾種起動方式 直接起動 星三角起動 軟啟動 變頻起動 幾種起動方式的區別和優缺點 ）
IGBT電路結構圖（G極=柵極；C極=集電極；E極=發射極）
